Буферизованная
Объем памяти
Поддержка ecc
Пропускная способность
Радиатор
Емкость
Отсортировать
:
| |||
Код:49686
Hynix 1Gb DDR2 800 DIMMОбъем одного модуля: 1(гб),Пропускная способность: 6400(мб/с),Тактовая частота: 800(мгц),Напряжение питания: 1.8(в),Тип: DDR2,Форм-фактор: DIMM 750.00 руб. | |||
Код:51655
Samsung M378B5173QH0-CK000Объем одного модуля: 4(гб),Пропускная способность: 12800(мб/с),Тактовая частота: 1600(мгц),Напряжение питания: 1.5(в),Тип: DDR3,Упаковка чипов: двусторонняя,Форм-фактор: DIMM 1 340.50 руб. | |||
Код:68544
Hynix HMA451U6AFR8N-TFN0Hynix HMA451U6AFR8N-TFN0/Объем: 4Gb, тип: DDR4, 512Mx64 PC2133, Module 288 pins 2133 (PC17000) 1 660.50 руб. | |||
Код:58853
Samsung M378B5173EB0-CK0FHОбъем одного модуля: 4(гб),Пропускная способность: 12800(мб/с),Тактовая частота: 1600(мгц),Напряжение питания: 1.5(в),Тип: DDR3,Упаковка чипов: двусторонняя,Форм-фактор: DIMM 2 490.50 руб. | |||
Код:54806
Samsung M378A5143DB0-CPB00Объем одного модуля: 4(гб),Пропускная способность: 17000(мб/с),Тактовая частота: 2133(мгц),CAS-латентность: 15,Напряжение питания: 1.2(в),Тип: DDR4,Упаковка чипов: односторонняя,Форм-фактор: DIMM 2 565.75 руб. | |||
Код:68542
Hynix HMT42GR7BFR4A-PBT8Буферизованная(registered),Объем одного модуля: 16(гб),Поддержка ecc,Пропускная способность: 12800(мб/с),Тактовая частота: 1600(мгц),CAS-латентность: 11,Напряжение питания: 1.35(в),Тип: DDR3L,Упаковка чипов: двусторонняя,Форм-фактор: DIMM 6 370.00 руб. | |||
Код:40876
Hynix 2Gb DDR3 1333 DIMMОбъем одного модуля: 2(гб),Тактовая частота: 1333(мгц),Напряжение питания: 1.5(в),Тип: DDR3,Форм-фактор: DIMM 845.00 руб. | |||
